苹果iPhone手机将使用QLC NAND闪存技术,存储或将提升

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作者
猴君
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苹果公司计划在未来的iPhone产品中使用QLC NAND闪存技术,这一技术将对iPhone的存储性能带来显著提升。以下是一些关键点:

1、 存储密度和容量:QLC NAND闪存技术通过每个存储单元存储4个比特的数据,显著提高了存储密度和容量。例如,西部数据预览的BICS8 2Tb QLC NAND芯片是目前业界最高密度的闪存芯片,专为满足数据中心与AI存储需求设计,可以进一步降低高容量企业级固态硬盘成本,满足越来越庞大的数据存储需求。

2、 性能提升:QLC NAND闪存技术不仅提高了存储密度,还通过技术创新提升了性能。例如,三星展示的280层1Tb QLC NAND闪存具有28.5Gb/mm²的高面密度和3.2GB/s的高速读取速率,表明其存储密度和速率均处于领先位置。

3、 耐用性和可靠性:尽管QLC NAND闪存在早期被认为在寿命和可靠性方面不如TLC NAND,但随着技术的进步,QLC NAND的耐用性和可靠性得到了显著提升。例如,英特尔的QLC闪存通过离散电荷存储节点和良好的编程/擦除阈值电压窗口,有效保障了存储单元之间的稳定电荷隔离和完整的数据保留。

4、 应用场景:QLC NAND闪存技术更适合读取密集型应用,如AI人工智能、HPC高性能计算、云存储和大数据等。这些应用场景需要大容量和高密度的存储解决方案,而QLC NAND闪存正好满足这些需求。

5、 成本效益:QLC NAND闪存技术通过提高存储密度和降低单位成本,使得高容量存储解决方案更加经济实惠。这对于消费者和企业用户来说,意味着可以用更低的成本获得更大的存储空间。

6、 技术进步:随着3D NAND、QLC NAND等技术的不断创新,闪存芯片的存储密度和性能得到了大幅提升。例如,西部数据的BICS8技术通过类似长江存储Xtacking的CBA技术路线,分别制造存储堆栈和CMOS控制电路,最后将两部分混合键合,提升了闪存读写性能和整体存储密度。

7、 未来展望:随着AI时代的到来,闪存技术的重要性更加凸显。AI模型的训练和推理过程需要处理大量的数据,而QLC NAND闪存技术以其高性能和低延迟的特点,能够满足这些需求。未来的AI时代,随着AI、大数据和物联网技术的进一步普及,QLC NAND闪存技术将继续在这些领域中扮演关键角色。

综上所述,苹果公司采用QLC NAND闪存技术将显著提升iPhone的存储性能,提供更高的存储密度、更快的读取速度、更高的耐用性和可靠性,同时降低成本,满足未来AI和大数据时代的需求。


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